SPring-8 次世代先端デバイス研究会（第3回）
| 主題／内容 | 先端半導体デバイスの開発状況と放射光利用事例 |
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| 開催期間 | 2016年03月18日 (金) 13時20分から17時10分まで |
| 開催場所 | （公社）日本化学会 化学会館 7階ホール（技術交流会：6階601B会議室） |
| アクセス |
〒101-8307 東京都千代田区神田駿河台1-5 電話：03-3292-6161 JR中央線・総武線「御茶ノ水」駅 御茶ノ水橋口から徒歩3分 アクセスマップ http://www.chemistry.or.jp/access/ |
| 主催 | SPring-8 利用推進協議会 研究開発委員会 |
| 共催 | （公財）高輝度光科学研究センター（JASRI） |
| 協賛 | 光ビームプラットフォーム |
| 概要 | 微細化による性能向上が難しくなっているといわれながらも、新しい構造、材料の採用により発展を続けるSiデバイスや、その限界を超えるためのⅣ族、Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体デバイス技術の研究は実用化に向け着々と進められている。また、フレキシブル、低環境負荷、低コストでユビキタス社会に向け期待される次世代半導体としの有機デバイスの研究もますます盛んとなってきている。これらデバイスの材料、製造プロセスの性能向上、課題解決のために、SPring-8の高輝度なX線を活かした評価は有用な技術です。今回は、先端CMOSとしてSiデバイス、GeSn、また次世代デバイスとして期待されている有機デバイスに関する研究と放射光利用事例を紹介します。 |
| URL | http://www.jasri.jp/iuss/research_activity/2015/20160318.html |
| 問い合わせ先 |
 JASRI産業利用推進室
事務局代表 0791-58-0924 0791-58-0830 suishin@spring8.or.jp
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最終変更日
2016-12-22 16:40