Valence of Ba8Mn2Ge44
問い合わせ番号
SOL-0000000952
ビームライン
BL19B2(X線回折・散乱 II)
学術利用キーワード
A. 試料 | 無機材料 |
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B. 試料詳細 | 金属・合金, 半導体, 磁性体, 誘電体・強誘電体 |
C. 手法 | 吸収、及びその二次過程 |
D. 手法の詳細 | XAFS, XANES |
E. 付加的測定条件 | 室温 |
F. エネルギー領域 | X線(4~40 keV) |
G. 目的・欲しい情報 | 化学状態 |
産業利用キーワード
階層1 | 工業材料, その他 |
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階層2 | |
階層3 | |
階層4 | 電子状態, 価数, 化学状態 |
階層5 | XAFS |
分類
A80.30 無機材料, A80.42 エネルギー・資源, M40.10 XAFS
利用事例本文
In this solution, Mn K-edge XAFS technique was applied to Ge-based clathrates Ba8Mn2Ge44 to analyze valence of doped Mn. XANES spectra reveal valence of the target atom. These data reveal the fact that valence of Mn in the clathrate is very close to that in MnSi.
Mn-K edge XANES spectra of metal Mn, MnO, Mn2O3, MnSi and Ba2Mn2Ge44
画像ファイルの出典
私信等、その他
詳細
広沢作成
測定手法
XANES is a unique technique to study electronic state and local structure. The technique is applicable to crystal, amorphous, liquid contained a very small quantity of elements and provides knowledge about the valence and local structure of the element.
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
4-6 時間
測定装置
装置名 | 目的 | 性能 |
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XAFS | XAFS spectrum mesurement | 3.8-72KeV |
参考文献
文献名 |
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X線吸収分光法-XAFSとその応用-太田俊明編 |
関連する手法
アンケート
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
初心者でもOK
データ解析の難易度
中程度
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2~3シフト