HfSiOxの動径分布
問い合わせ番号
SOL-0000001401
ビームライン
BL19B2（X線回折・散乱 II）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 絶縁体・セラミックス |
| C. 手法 | Ｘ線弾性散乱 |
| D. 手法の詳細 | 斜入射Ｘ線回折／散乱 |
| E. 付加的測定条件 | 室温 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 | 構造解析 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | ゲート絶縁膜 |
| 階層4 | 液体・非晶質構造 |
| 階層5 | GIXS |
分類
A80.12 半導体・電子材料, M10.30 表面・界面構造回折
利用事例本文
本事例では高誘電率ゲート絶縁膜（HfSiOx)について 微小角入射X線散乱を行い、膜の構造をあらわす動径分布関数を解析しました。微小角入射X線散乱は、試料表面に極く浅い角度でX線を入射することにより基板上に形成された薄膜から散乱されるX線を感度よく測定する手法です。このデータから、Hfの第三近接の範囲内ではHfO2に類似した構造をもつことが明らかになりました。
測定データより得られたHfSiOx膜の動径分布関数
画像ファイルの出典
私信等、その他
詳細
広沢 作成
測定手法
微小角入射X線散乱は、基板上の薄膜からの散乱X線強度を測定することで 構造の評価を行います。この例では、主として非晶質HfSiOｘ膜中のHfからの動径分布に関する知見が得られます。
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
1 シフト
測定装置
| 装置名 | 目的 | 性能 |
|---|---|---|
| 多軸回折計 | 回折散乱の測定 | ４軸＋２軸 |
参考文献
| 文献名 |
|---|
| I. Hirosawa, et.al., Transactions of the Materials Research Society of Japan, 30 (2005) 221-224 |
関連する手法
反射率測定、微小角入射X線散乱
アンケート
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
熟練が必要
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト