高エネルギーＸ線トポグラフィによるシリコン結晶インゴット内部の非破壊観察
問い合わせ番号
SOL-0000001440
ビームライン
BL20B2（医学・イメージングI）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 結晶性固体, 結晶 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | 反射、屈折 |
| E. 付加的測定条件 | 界面, 室温 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV), Ｘ線（>40 keV） |
| G. 目的・欲しい情報 | 欠陥、転位、歪み |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | SOI,基板 |
| 階層4 | 表面・界面, 格子定数, 亀裂、空隙, 形態 |
| 階層5 | 回折 |
分類
A80.10 エレクトロニクス, A80.30 無機材料, M10.80 歪み解析
利用事例本文
エネルギーの高い（短波長）Ｘ線を用いたＸ線トポグラフィは バルク結晶中や重元素を含む結晶中の不均一や不完全性を高感度に可視化することのできる強力な手法です。この手法を用いれば，試料結晶を切断したり薄片化するなどの試料前処理無しで，結晶内部の格子欠陥分布を知ることができます。図に示すのは，2インチ径のas-grown CZシリコン結晶の220反射トラバーストポグラフです。種結晶とシリコン融液の界面における転位の発生と種しぼり（necking）過程における転位の伝播停止が明瞭に見えます。このトポグラフから，結晶成長に何が起こったかが非破壊で分かりました。
[ Y. Shikaura, S. Iida, S. Kawado, K. Mizuno, S. Kimura, J. Matsui, M. Umeto, T. Ozaki, T. Shimura, Y. Suzuki, K. Izumi, K. Kawasaki, K. Kajiwara and T. Ishikawa, Journal of Physics D 34, A158-A162 (2001), Fig. 6,
©2001 Institute of Physics and IOP Publishing, Ltd. ]
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原著論文/解説記事
誌名
Y. Chikaura, S. Iida et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) A158-A162.
図番号
測定手法
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図なし
測定準備に必要なおおよその時間
2 シフト
測定装置
参考文献
| 文献名 |
|---|
| Y. Chikaura, S. Iida et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) A158-A162. |
関連する手法
アンケート
SPring-8だからできた測定。他の施設では不可能もしくは難しい
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
初心者でもOK
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト