White X-ray topography combined with topo-tomographic technique
問い合わせ番号
SOL-0000001022
ビームライン
BL28B2（白色Ｘ線回折）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 結晶 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | |
| E. 付加的測定条件 | 三次元画像計測（ＣＴ等） |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（>40 keV） |
| G. 目的・欲しい情報 | 欠陥、転位、歪み |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | SOI,基板 |
| 階層4 | 格子定数, 内部構造 |
| 階層5 | イメージング |
分類
A80.12 半導体・電子材料, M10.10 単結晶回折
利用事例本文
The advantage of the white x-ray topography combined with topo-tomographic technique is the ability to acquire information about the configuration of the dislocations from the variation in their features observed in a specific Laue spot by the tomographic technique, in addition to an information about the image contrast of the dislocations observed in several Laue spots by conventional white X-ray topography.
Fig. Topograph of CZ-silicon and schematic illustration showing results of identification of observed dislocations A to E.
[ S. Kawado, T. Taishi, S. Iida, Y. Suzuki, Y. Chikaura, K. Kajiwara, Journal of Synchrotron Radiation 11, 304-308 (2004), Fig. 4, 6,
©2004 International Union of Crystallography ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
S. Kawado, T. Taishi, S. Iida, Y. Suzuki, Y. Chikaura and K. Kajiwara J. Synchrotron Rad. (2004). 11, 304-308
図番号
4
測定手法
Fig.1 Schematic illustration of experimental arrangement.
[ S. Kawado, T. Taishi, S. Iida, Y. Suzuki, Y. Chikaura and K. Kajiwara, Journal of Synchrotron Radiation 11, 304-308 (2004), Fig. 1,
©2004 International Union of Crystallography ]
Fig.2 White X-ray Topography.
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
S. Kawado, T. Taishi, S. Iida, Y. Suzuki, Y. Chikaura and K. Kajiwara J. Synchrotron Rad. (2004). 11, 304-308
図番号
1
測定準備に必要なおおよその時間
8 時間
測定装置
参考文献
関連する手法
アンケート
SPring-8だからできた測定。他の施設では不可能もしくは難しい
測定の難易度
熟練が必要
データ解析の難易度
中程度
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
4～9シフト