研究分野別　目次
支援テーマ別　目次

1.エレクトロニクス
　 情報ストレージ

2.新規物質、表面・ナノ
　 結晶・ナノサイズ効果

3.エネルギー材料

4.環境関連物質評価

5.基盤技術開発
2 新規物質、表面・ナノ結晶・ナノサイズ効果
2.1　フラーレン関連物質
ゲート絶縁膜上のIV族ナノクラスタ薄膜の構造的研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,489KB
谷垣　勝己　　　　　大阪市立大学大学院　理学研究科
2.2　ナノチューブ
ナノフィラーとその高分子ナノハイブリッドの凝集構造解析 軟Ｘ線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究2,249KB
高原　淳　　　　　　 九州大学大学院　工学府
カーボンナノチューブ内の液体の構造と相転移 軟Ｘ線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究1,491KB
真庭　豊　　　　　　 東京都立大学　理学研究科
有機分子・カーボンナノチューブ複合材料の構造 軟Ｘ線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究1,858KB
竹延　大志　　　　　東北大学　金属材料研究所
軟X線発光分光法による単層カーボンナノチューブの研究 酸素分子の運動エネルギー励起によるＳｉ（111）表面のナノスケール選択酸化1,299KB
辛　埴　　　　　 　 　東京大学　物性研究所
2.3　ナノ高分子材料、有機半導体等
異常小角散乱法による非平衡固体からのナノ粒子形成過程の評価 酸素分子の運動エネルギー励起によるＳｉ（111）表面のナノスケール選択酸化1,414KB
鈴木　茂　　　　　　 東北大学　多元物質科学研究所
視斜角入射X線回折による有機半導体薄膜の表面ナノ構造評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,142KB
高原　淳　　　　　　 九州大学　先導物質化学研究所
2.4　ナノサイズ効果、ナノ結晶等
超小角X線散乱法(U-SAXS)によるナノ粒子の粒度分布解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,381KB
橋本　久之　　　　　電気化学工業株式会社　研究分析センター
超音波還元Au-Pb超微粒子のEXAFSによる研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,102KB
岩瀬　彰宏　　　　　大阪府立大学　先端科学研究所
ナノサイズアモルファスシリカ微粒子の高圧化における構造変化 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,517KB
内野　隆司　　　　　神戸大学　理学部
次元を制御したクラスレート化合物の軟X線光電子分光 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,817KB
谷垣　勝己　　　　　大阪市立大学大学院　理学研究科
応力発光体SrAl2O4:Eu2+の示す異方的な弾性特性 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,407KB
徐　超男　　　　　　産業技術総合研究所
2.5　表面ナノ構造、電極表面構造、表面化学
Au(111)ナノ表面における超熱O2分子線酸化過程の光電子分光研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,604KB
笠井　俊夫　　　　　大阪大学大学院　理学研究科
高分解能光電子分光とSTMによるナノスケール選択酸化Si(111)表面の観察 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,255KB
三木　一司　　　　　産業技術総合研究所
表面X線回折法を用いた単結晶リチウム電池正極材料表面の精密構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,106KB
菅野　了次　　　　　東京工業大学大学院　総合理工学研究科
Cu(111)電極表面に形成されている新しい水の表面構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,465KB
伊藤　正時　　　　　慶応大学　理工学部
Ti(0001)表面での極薄酸化膜形成への酸素分子並進運動エネルギーの効果 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,440KB
高桑　雄二　　　　　東北大学　多元物質科学研究所
2.6　超伝導体等
ナノデバイス用超伝導ウィスカーの化学状態分析
 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,352KB
岸田　悟　　　　　　鳥取大学　工学部
2.7　強誘電体等
圧電体膜の電界誘起ドメインダイナミックスのin-situ測定 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,370KB
舟窪　浩　 　　　　　東京工業大学大学院　総合理工学研究科
2.8　蛍光体等
ナノスケール制御されたTi3+含有酸化物発光体の発光機構の解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,674KB
寺嶋　孝仁　 　　　 京都大学　化学研究所
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