1 エレクトロニクス・情報ストレージ
【ULSI技術】
1.1 ゲート絶縁膜
高温熱処理によるHfSiONゲート絶縁膜結晶化の窒素濃度依存症 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,288KB
佐竹 秀喜     株式会社 東芝
MOSデバイスの酸化物/半導体界面における電子状態の軟X線発光分光法による直接観測 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究1,393KB
山下 良之     東京大学 物性研究所
半導体high-k絶縁膜用酸化アルミニウム薄膜のAIK-XAFSによる構造解析 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化1,843KB
竹村 モモ子    株式会社 東芝
硬X線光電子分光法によるランタン酸化膜/シリコン界面における組成遷移層の検出 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化1,796KB
服部 健雄     武蔵工業大学 工学部
シリコン酸化膜中の電子の脱出深さの酸化プロセス依存性 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,658KB
服部 健雄     武蔵工業大学 工学部
1.2 配線,ナノワイヤ等
金属電極上に垂直配向したカーボンナノチューブの根元構造の解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,191KB
栗野 裕二     株式会社 富士通研究所
1.3 高密度実装技術等
BGAはんだ接合部における熱疲労損傷の3次元構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,373KB
佐山 利彦     富山県工業技術センター
【磁気記録技術】
1.4 磁性半導体
酸化亜鉛中のナノサイズ遷移金属酸化物の軟X線MCD ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,268KB
田中 功      京都大学大学院 工学研究科
エピタキシャル鉄-チタン酸化物薄膜の電子構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,822KB
藤井 達生     岡山大学 工学部
高エネルギー光電子分光によるV族窒素化物系希薄磁性半導体の電子構造解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,032KB
牧野 久雄     東北大学 金属材料研究所
1.5 記録媒体、磁性膜
199Sn核共鳴散乱法を用いた金属ナノ変調多層膜における伝道電子スピン分極の検出 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,486KB
壬生 攻      京都大学 低温物質科学研究センター
上下をPtに挟まれたFe単原子層の強磁性 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,371KB
今田 真      大阪大学大学院 基礎工学研究科
次世代時期記録メディアPtFe合金薄膜のフォノン ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,197KB
角田 頼彦     早稲田大学 理工学部
縞状磁区構造を有する超高密度磁気記録材料
         CoNiFe合金系軟磁性膜の軟X線磁気円二色性の研究
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,901KB
朝日 透      早稲田大学大学院 理工学研究科
1.6 磁性ナノドット、磁性ナノワイヤ、磁性ナノ粒子等
Interface effect on the magnetic anisotropy in
               Co nanoclusters embedded in a Cu matrix
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出924KB
Maria Luisa Fernandez Gubieda       Universidad del Pais Vasco
自己組織形成強磁性ナノ細線配列の結晶配向制御法の検討とその評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,478KB
新宮原 正三   広島大学大学院 先端物質科学研究科
FePtナノ粒子の磁気状態に関するXMCDによる研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出3,078KB
圓山 裕      広島大学大学院 理学研究科
1.7 スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料
強磁性体/高温超伝導体接合の界面ナノ領域における化学結合状態
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,892KB
岸田 悟      鳥取大学 工学部
1.8 磁性強誘電体等
磁性強誘電体PbVio3の2GPaでの正方晶-立法晶構造の転移
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,318KB
東 正樹      京都大学 化学研究所
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