テーマN7 蛍光X線分析法による微量元素マッピング (BL37XU)
In蛍光X線を用いたGaInN量子井戸の結晶評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,283KB
宮嶋 孝夫       ソニー株式会社
アトピー性皮膚炎における微量元素の動態の解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,181KB
白川 太郎       京都大学大学院 医学研究科
μ-XRF及びμ-XAFSを用いた太陽電池用多結晶シリコン基板内の
             各種不純物の分布と微細領域における結合状態に関する研究
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,931KB
大下 祥雄       豊田工業大学 工学部
X線マイクロビームを用いたPd多層膜表面微量元素分布と金属組織の相関把握 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出3,453KB
岩村 康弘       三菱重工業株式会社
μ-XRFおよびμ-XAFSを用いた環境浄化植物モエジマシダにおけるヒ素蓄積機構の解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,265KB
中井 泉        東京理科大学 理学部
Detection of Ge XAFS in Ge-Sb-Te optical memory alloys
            using a high-resolution fluorescence analyzer system
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,936KB
Fons, Paul       産業技術総合研究所
 
テーマN8 核共鳴散乱法による局所構造と電子状態の研究 (BL11XU)
次世代磁気記録メディアPtFe合金薄膜のフォノン ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,224KB
角田 頼彦       早稲田大学 理工学部
119Sn核共鳴散乱法を用いた金属ナノ薄膜における局所電子スピン分極の検出 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,513KB
壬生 攻        京都大学 低温物質科学研究センター
テーマN9 電気化学における固/液界面構造解析 (BL14XU)
XAFS study of structural changes under hydrostatic pressure in
            Ge-Sb-Te Alloy used in near-field recording with nanometer size marks
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,424KB
Kolobov, Alexander  産業技術総合研究所
表面X線散乱法による異種金属修飾Au単結晶表面上での
            自己組織化単分子構造のその場追跡
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,366KB
魚崎 浩平       北海道大学大学院 理学研究科
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