1 エレクトロニクス・情報ストレージ
【ULSI技術】
1.1 ゲート絶縁膜
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出754KB
服部 健雄     武蔵工業大学 工学部
軟X線発光・吸収分子による極薄シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究620KB
高田 恭孝     理研/SPring-8
酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化590KB
三木 一司     産業技術総合研究所
1.2 配線,ナノワイヤ等
超高真空中におけるナノワイヤのX線定在波法によるその場観察 超高真空中におけるナノワイヤのX線定材波によるその場観察803KB
齋藤 彰      大阪大学大学院 工学研究科
サファイヤ単結晶上のNiOナノワイヤの格子歪のX線回析による測定 サファイヤ単結晶上のNiOナノワイヤの格子歪のX線回析による測定770KB
吉本 護      東京工業大学 
Ti(0001) 表面窒化過程のリアルタイムモニタリング光電子分光 Ti (0001) 表面窒化過程のリアルタイムモニタリング光電子分光 691KB
石塚 眞治     秋田工業高等専門学校 物質工学科
非平衡固体からのナノ粒子の出現機構 非平衡固体からのナノ粒子の出現機構 757KB
鈴木 茂      東北大学 多元物質化学研究所
【化合物半導体技術】
1.3 磁性半導体
XMCDによる希薄磁性半導体材料GaGdNの強磁性の研究 XMCDによる希薄磁性半導体材料GaGdNの強磁性の研究664KB
本間 徹生   高輝度光科学研究センター
遷移金属イオンを添加したGaN系窒化物薄膜の軟X線MCD 遷移金属イオンを添加したGaN系窒化物薄膜の軟X線MCD635KB
牧野 久雄   東北大学 金属研究所
【磁気記録技術】
1.4 記憶媒体、磁性膜
FeK吸収端共鳴X線磁気散乱法によるFe/Gd多層膜の低温磁気構造 FeK吸収端共鳴X線磁気散乱法によるFe/Gd多層膜の低気温磁気構造585KB
橋爪 弘雄   奈良先端科学技術大学院大学 物質科学教育研究センター
垂直磁気記録媒体におけるPtの自発磁化量の測定、およびその分極メカニズムの解明 垂直磁気記録媒体におけるPtの自発磁化量の測定、およびその分極メカニズムの解明772KB
村岡 裕明   東北大学 電気通信研究所
Pt5d Magnetic States in CoCrPt Thin-Films : An XMCD Study at Pt L23-Edges Pt5 Magnetic States in CoCrPt Thin-Films 737KB
圓山 裕    広島大学大学院 理学研究科
電子混成により非磁性Cu層に誘起された磁気分極とそのスピン/軌道性 電子混成により非磁性Cu層に誘起された磁気分極とそのスピン/軌道性607KB
橋爪 弘雄   奈良先端科学技術大学院大学 物質科学教育研究センター
強磁性層状規則合金FePt薄膜のナノメーター膜厚領域における磁性 強磁性層状規則合金FePt薄膜のナノメーター膜厚領域における磁性590KB
今田 真    大阪大学大学院 基礎工学研究科
Invention and Characterization of Nanoparticles of Fe and Fe oxide Compounds Invention and Characterrization of Nanparticles of Fe and Fe oxide Compounds677KB
大庭 卓也   島根大学 総合理工学部
1.5 磁性ナノドット、磁性ナノワイヤー、磁性ナノ粒子等
窒素吸着銅(001)面正方格子パターン上に形成したコバルトナノドットの磁気モーメント 窒素吸着銅(001)面正方格子パターン上に形成したコバルトナノドットの磁気モーメント590KB
小森 文夫   東京大学 物性研究所
XMCDによる元素選択磁化測定を用いたAuナノ粒子の磁気特性解析 XMCDによる元素選択磁化測定を用いたAuナノ粒子の磁気特性解析726KB
山本 良之   北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
核共鳴非弾性によるFe量子ワイヤーのフォノン状態密度の研究 核共鳴非弾性によるFe量子ワイヤーのフォノン状態密度の研究726KB
瀬戸 誠    京都大学 原子炉実験所
1.6 スピンエレクトロニクス等新規磁性材料
選択的X線吸収分光法による鉄・チタン化合物の化学状態分析 選択的X線吸収分光法による鉄・チタン化合物の化学状態分析871KB
藤井 達夫   岡山大学 工学部
BaREFe2O5+δ (δ〜0,RE=Y,Dy,Tb,Eu,Sm,Nd)における電荷整列 BaREFe2 O5+δ (δ〜0,RE=Y,Dy,Tb,Eu,Sm,Nd)における電荷整列420KB
佐々木 聡   東京工業大学 応用セラミックス研究所
Y-Sr-Ti酸化物および近藤半導体CeRhAsの金属・非金属転移と電荷・格子異常 Y-Sr-Ti酸化物および近藤半導体CeRhAsの金属・非金属転移と電荷・格子異常759KB
伊賀 文俊   広島大学大学院 先端物質科学研究科
FeNbS2(x=0.239,0.325)の角度分解光電子分光 FexNbS2(x=0.239,0.325)の角度分解光電子分光494KB
斎藤 裕児   日本原子力研究所 関西研究所
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